삼성 송재혁 CTO,“HBM4 세계 최고기술력,고객사 피드백 매우만족”경쟁자신

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장이 엔비디아 차세대 AI칩 ‘베라 루빈’용  6세대 고대역폭메모리인 HBM4 성능에 대해 “HBM4에 대한 고객사 피드백이 매우 만족스럽다”라며 강한 자신감을 드러냈다.

송 사장은 11일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘세미콘코리아 2026’의 기조연설 발표 전 HBM4의 차별점을 묻는 취재진의 질문에 이같이 밝혔다.

그는 이번 엔비디아에 대한 HBM4 납품 양산개시와 관련해 “세계에서 가장 좋은 기술력으로 대응했던 삼성의 원래 모습을 보여주는 것”이라며 “HBM4는 사실상 기술에 있어서는 최고”라고 말했다. 삼성전자는 설 연휴 이후 SK하이닉스를 제치고 업계 최초로 엔비디아에 공급할 HBM4를 양산 출하할 계획이다.

송 사장은 이어 “차세대 HBM4E, HBM5에서도 업계 1위가 될 수 있도록 기술을 준비하고 있다”고 말해 SK하이닉스와의 경쟁에서 강한 자신감을 내비쳤다.

그는 “삼성은 메모리와 파운드리, 패키지를 다 갖고 있다는 점에서 지금 AI가 요구하는 제품을 만드는 데 가장 좋은 환경을 갖고 있으며, 그것이 적합하게 시너지를 내고 있는 것”이라고 강조했다.

삼성전자는 이번 HBM4 개발 단계부터 최고 성능 구현을 위해 10나노 6세대(1c) D램 탑재와 4나노 파운드리 공정 적용이라는 승부수를 던졌지만 수율측면에서 SK하이닉스에 여전히 뒤쳐진다는 지적이다.

삼성전자는 최근 이를 의식한 듯, HBM4의 데이터 처리 속도는 JEDEC 표준인 8Gbps(초당 기가비트)를 넘는 최대 11.7Gbps로, 업계 최고 수준으로, 이는 JEDEC 표준을 37%, 이전 세대 HBM3E(9.6Gbps)를 22% 웃도는 수준이라고 공식 발표한 바 있다.

또한 단일 스택(묶음) 기준 메모리 대역폭이 전작 대비 2.4배 향상된 최대 3TB/s 수준에 달하며 12단 적층 기술로 최대 36GB의 용량을 제공한다.

하지만 SK하이닉스의 HBM4는 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 파운드리(반도체 수탁생산)와 10㎚ 6세대(1c) D램 등을 쓰는 삼성전자보다 한 세대 이상 뒤처진 공정(12㎚ 파운드리, 1b D램)을 사용하면서도 비슷한 성능을 내는 등 수율에서 월등히 삼성전자를 앞서고 있다.

삼성전자는 차별화된 기술 경쟁력으로 마이크론에 이어 SK하이닉스와의 경쟁에서도 HBM4 시장의 주도권을 잡겠다는 전략이다.

관련기사 = 엔비디아 차세대 AI칩 HBM4,마이크론 탈락,삼성·하이닉스 2파전 양분

관련기사 = 최태원·젠슨황,실리콘밸리 치맥회동,HBM4 밀약?,한경 단독보도

관련기사 = 삼성전자,국내 최초 4분기 영업익 20조원달성, ‘5만전자’오명벗고 부활기지개

관련기사 = 삼성전자,구글 TPU용 HBM4 퀄통과,내년 물량계약,엔비디아도 이달 통과유력

관련기사 = 삼성전자,HBM4 양산돌입,HBM시장 뒤집을까? SK하이닉스·마이크론 추격선언

관련기사 = 삼성전자 3분기 영업익 12조,매출 사상최대 86조원,깜짝실적

관련기사 = 삼성전자 2분기 부진,영업익 전년대비 반토막 4.2조원,SK하이닉스 절반수준