[피치원뷰]삼성,꿈의 메모리 8나노 M램개발,TSMC 파운드리 추격 속도낸다

삼성전자가 파운드리생산에서 핵심적인 기술로 꼽히는 M램기술에서 8나노 M램을 개발했다는 보도가 쏟아지면서 삼성전자가 과연 언제쯤 8나노 M램을 양산에 적용할수 있을지에 비상한 관심이 쏠리고 있다.

삼성전자 파운드리사업부 연구진은 최근 세계 최고 권위의 반도체 학회 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2026’에서 8㎚(나노미터·10억분의 1m) 핀펫(FinFET) 공정을 적용한 내장형 자기저항메모리(M램) 구현에 성공하고 양산 수율을 달성했다고 공식 공개했다.

8㎚는 현재 파운드리 절대강자인 대만 TSMC를 포함해 업계에서 가장 앞선 M램 공정으로 평가된다. 8㎚ M램을 실제 제조해 성능검증에 성공한 연구 성과는 이번이 처음이라고 삼성전자 측은 설명했다.

삼성전자 파운드리사업부가 개발,발표한 내용에 따르면 회사 연구진이 테스트용으로 만든 8㎚ M램의 성능을 검증한 결과 기존 14㎚ M램보다 집적도에서 ㎟당 19.94Mb(메가비트)로 11.5% 개선됐고,쓰기 속도 역시 62.5% 빨라진 것이 확인됐다.

이를 포함한 종합 성능 점수(FoM)는 4146점으로 기존 14㎚ M램보다 52.9% 개선됐다는 게 삼성전자측 설명이다. 삼성전자 파운드리사업부는 이번 8㎚ M램 상용화기술은 전력 효율과 성능을 획기적으로 높일 수 있는 ‘꿈의 메모리’ 로 업계 최고 수준의 기술력이라고 강조했다.

삼성전자가 전력효율과 집적도 쓰기속도 등이 획기적으로 개선된 M램 기술개발에 성공함에 따라 향후 대만 TSMC와의 기술격차를 얼마나 빠르게 좁혀 나갈지 관심이 쏠리고 있다.

글로벌 반도체업계 및 AI업계는 삼성전자가 HBM4 양산 및 엔비디아 납품성공에 이어 선제적투자를 통한 파운드리 M램 초격차 기술을 확보함에 따라 향후 메모리 신기술경쟁에서 주도권을 확보하는 동시에 파운드리 분야에서도 TSMC와의 격차를 좁혀나갈수 있는 발판을 마련했다는 평가를 내놓고 있다.

M램은 전자가 가진 자석의 성질을 활용,정보를 구현·저장하는 차세대 비휘발성 메모리로, 높은 처리속도와 비휘발성,고집적화,저전력의 장점을 두루 갖춘 파운드리 생산공정의 핵심 기술이다.

M램은 전기로 작동하는 D램과 달리 전원 없이도 정보를 유지할 수 있어 저전력 메모리다. 이 때문에 전력 소모를 크게 줄이고 낸드플래시처럼 영구적 정보 저장이 가능하다. 동시에 낸드보다 1000배 빠른 동작 속도로 D램과 맞먹는 성능을 내 차세대 임베디드 메모리의 핵심이다.

M램은 MCU,AI칩,웨어러블기기 등에 핵심적으로 사용되는 메모리로 지난해 시장규모는 32억6000만달러(4조8000억원),올해는 30%이상 증가할 것으로 추정된다.

삼성전자는 이에 앞서 2018년 28㎚ M램을 처음 양산한 후 2024년 14㎚, 올해 8㎚ M램 양산으로 파운드리 기술고도화로 TSMC 추격에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 실제 이번 8㎚ M램 기술개발에 성공한데 이어 내년에는 5㎚ M램 양산을 위한 개발에 박차를 가하고 있다.

이에 따라 글로벌 파운드리 시장의 70%가까이 장악하고 있는 대만 TSMC역시 내년에 5㎚ M램 양산에 돌입할 계획으로 있어,내년부터 삼성전자가 어느정도 TSMC를 추격하면서 본격적인 M램 경쟁레이스를 펼칠수 있을지 주목된다.

반도체업계는 삼성전자가 올해 HBM4 양산에 돌입하면서 SK하이닉스에 밀려 고전했던 HBM시장에서 서서히 그 격차를 좁혀가고 있는 와중에 이번 8나노 M램 기술개발을 통해 파운드리 시장에서도 대만 TSMC와의 시장점유율을 좁혀가면서 초격차 기술패권을 회복할수 있을 지 주목하고 있다.

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