[피치원뷰]삼성전자,CXMT충격파 “이미 대비중”,SK하이닉스,차세대 AI반도체 HBF공개

삼성전자가 중국 CXMT가 연내 출시키로 한 서버용 D램을 동일하게 개발중이고, SK하이닉스는 HBM차세대 모델인 HBF상용화를 공식화하는 등 국내 빅2 반도체회사들이 차세대 메모리분야 초격차 전략을 잇따라 공개했다.

중국 최대 반도체 기업이자 글로벌 4위 D램업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 연내 차세대 서버용 D램 출시를 예고해 충격을 주고 있는 가운데, 삼성전자가 동일한 기술을 개발 중이라는 사실을 공식 확인했다.

SK하이닉스 역시 HBM을 대체할 차세대 AI반도체 핵심무기로 고대역낸드플래시(HBF)을 개발중이라고 공식 밝혀 주목을 끌고 있다.

■ 삼성전자,중국발 CXMT 충격파, “이미 개발중으로 잘 준비하고 있다”공개 밝혀

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전'(SEDEX 2026)에서 “삼성전자도 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 기술을 개발하고 있느냐”는 취재진의 질문에 “그렇다”고 밝혔다.

송재혁 사장은 잘 준비되고 있느냐는 물음에는 “열심히 하고 있다”고 말해 상용화를위한 개발단계임을 시사했다. 4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀의 면적을 줄이는 기술로, CXMT가 지난 10일 삼성전자를 제치고 가장 먼저 연내 출시한다고 발표해 주목을 끌고 있다.

송 사장은 개발 진행 상황을 묻는 취재진의 질문에 “열심히 합니다”라며 말을 아꼈다. 4F²는 앞서 중국 CXMT가 서버용 D램에 적용하겠다고 발표한 차세대 설계기술로, 같은 공간에 더 많은 데이터를 담는 것이 핵심노하우다.

중국 CXMT는 네덜란드 ASML사의 노광장비없이도 삼성전자에 앞서 서버용 D램을 연내에 선보이겠다고 밝혀 엄청난 충격을 주고 있다.

CXMT의 발표 후 일각에서 중국의 메모리반도체 기술력이 한국 반도체산업을 따라잡을 것이란 전망이 쏟아지면서 한국 증시는 13일 장중한 때 10% 폭락한데 이어,14일에 이어 15일에도 9%,7%가까이 폭락하는 등 연일 폭락장세를 보이고 있다.

삼성전자와 SK하이닉스 역시 4F²기술을 개발중이지만, 원가 문제로 해당 기술을 곧바로 적용하지 않은 것으로 알려졌으며, 기존 기술방식으로도 메모리 수요폭증을 감당하지 못해 굳이 선제적으로 차세대 기술을 양산에 적용할 필요가 없다는 분위기다.

한편 삼성전자는 이번 전시회에 ‘AI 시스템 설계’를 주제로 차세대 기술, 클라우드 AI, 엣지 AI, 피지컬 AI, 반도체 클러스터, 상생협력 등 6개 전시 공간을 마련,전시중이다.

■ SK하이닉스,HBM 다음 승부는 HBF,이미 개발중이다 공식 밝혀

SK하이닉스 역시 AI추론시장에서의 급증하는 메모리 용량 수요에 대비, 새로운 AI 메모리로 HBM을 대체할 무기로 고대역낸드플래시(HBF)를 14일 공식 지목하고 개발중인 사실도 밝혔다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 이날 기조연설에서 AI인프라 성능이 2030년에는 올해의 약 20배로 커질 것이라며 이에 대비 차세대 HBM으로 HBF를 개발중이라고 공식 밝혔다.

SK하이닉스는 AI 추론 시장의 급성장과 맞물려 메모리 계층 간 데이터 이동이 새로운 병목으로 부상할 것으로 보고, 가장 먼저 HBF을 출시해 차세대 AI메모리 시장을 선점한다는 전략이다.

안 사장은 “AI가 더 복잡한 작업을 수행하면서 연산량뿐 아니라 데이터의 저장·이동 수요도 함께 증가하고 있다”면서 “HBM, D램, SSD 등 메모리 계층에 데이터를 분산해 저장해야 하는데, 이 과정에서 새로운 성능 및 전력 소모의 병목이 생기고 있다”고 설명했다.

안 사장은 그 해법으로는 연산칩 위에 D램을 쌓아 데이터 이동 거리를 줄이는 ‘3D 적층 D램’과 고대역폭플래시(HBF)를 제시하고 현재 개발중이라고 공개했다.

그는 “샌디스크 등과 HBF 표준화 작업도 진행하고 있다”면서 “내년 1월 정식 표준 규격이 나올 것”이라고 밝혀 표준화를 통해 글로벌 시장을 선점하는 전략임을 내비쳤다.

SK하이닉스가 차세대 AI메모리 신무기로 공개한 HBF는 낸드 플래시에 신호 관통 전극(TSV)를 뚫어 적층한 새로운 개념의 AI 메모리다. D램을 수직으로 쌓아 대역폭을 끌어올린 HBM처럼 낸드를 수직 적층하는 개념이다.

SK하이닉스는 14일부터 16일까지 서울 코엑스에서 열린 ‘SEDEX 2026(반도체 대전)’에서 HBF 구조 모형을 전시,글로벌 반도체업계 이목을 끌었다.

SK하이닉스는 HBM과 D램 사이에 새로운 계층으로 HBF를 배치, 고대역폭과 대용량을 동시에 구현할 계획이며, 이르면 내년 말 HBF를 출시한다는 계획이다. 안현 사장은 HBM 양산을 통해 축적한 TSV와 고속 입출력(I/O) 등 기술력을 바탕으로 HBF를 개발중인 사실도 공개했다.

안 사장은 “HBF는 동 세대 HBM 대비 절반 수준의 대역폭과 약 10배의 용량을 제공하는 것을 개발 목표로 하고 있다”면서 “이를 통해 AI 연산에 필요한 대량의 데이터를 연산기에 가까운 곳에 저장하고, D램과 SSD로의 접근을 최소화해 시스템 전반 성능과 에너지 효율을 높일 수 있을 것”이라고 밝혔다.

안 사장은 “AI 인프라의 지속적인 성장을 위해서는 개별 메모리의 성능 향상을 넘어 전체 메모리 계층을 최적화하는 접근이 필요하다”며 AI 성능 병목을 해결할 또 다른 차세대 기술로 ‘3D 스태킹 D램’도 제시했다.

GPU·NPU 등 로직 반도체 위에 D램을 적층, 연산기와 데이터 간 물리적 거리를 줄이는 구조다. 데이터를 연산기에 더욱 가까운 곳에서 빠르게 공급,성능을 높이고 에너지 소모를 줄이는 핵심 기술로 꼽힌다.

안 사장은 “AI 시대의 메모리 경쟁력이 개별 제품의 성능과 용량을 높이는 것을 넘어, 다양한 메모리 계층을 유기적으로 연결하고 시스템 전체의 효율을 극대화하는 방향으로 발전할 것”이라고 진단했다.

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